Kompakte und preisgünstige Radarsysteme sind eine wichtige Voraussetzung für fortgeschrittene Fahrerassistenzsysteme (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS) und das selbstfahrende Fahrzeug. Heutige Radarsysteme setzen auf die hybride Integration von HF-Schaltkreisen in SiGe-Technologie mit Digitalschaltkreisen in CMOS-Technologie. Der Technologiefortschritt ermöglicht nun einen Wechsel hin zu Single-Chip-Lösungen in reiner CMOS-Technologie, welche das digitale Basisband, die Signalwandler (A/D und D/A) sowie Millimeterwellenschaltungen bis über 100 GHz auf einem einzigen IC umfassen.
In diesem Projekt hat das INT zusammen mit unseren Partnern vom Institut für Robuste Leistungshalbleitersysteme (ILH) eine komplette Mischsignal-Sendeschaltung in 22 nm FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) CMOS mit sehr geringer Leistungsaufnahme entworfen. Das INT hat das Basisband mit einem digitalen Impulsformer für pseudozufällige binäre Eingangsdaten und einen nachfolgenden D/A-Umsetzer entworfen. Das ILH hat das komplette HF-Front-End mit Aufwärtsmischung und Millimeterwellenverstärkern entworfen.
Die Zielanwendung des ICs sind breitbandige Radarsysteme, bei welchem das Trägersignal mit einem pseudozufälligen Rauschsignal moduliert wird.
Publikationen
2022
- D. Widmann, R. Nägele, M. Grözing, und M. Berroth, „Mixed-Signal Integrated Circuit for Direct Raised-Cosine Filter Waveform Synthesis of Digital Signals Up to 24 GS/s in 22 nm FD-SOI CMOS Technology“, in IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2022, S. paper ID 1248.
2021
- D. Widmann, R. Nägele, und A. Gatzastras, „140 GHz Transmitter Chip for Pseudo Random Noise Radar in 22 nm FD-SOI CMOS Technology“, in EUROPRACTICE activity report 2020 - 2021, 2021, S. 22.
Ansprechpartner
Raphael Nägele
M. Sc.Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Athanasios Gatzastras
M.Sc.Wissenschaftlicher Mitarbeiter