Herr M.Sc.

Raik Elster

Wissenschaftlicher Mitarbeiter
Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik
Optikgruppe

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Fachgebiet

Durch die stetig wachsenden Datenraten in der Kommunikation kommt der optischen Nachrichtentechnik eine große Bedeutung zu, da diese sehr hohe Bandbreiten für die Datenübertragung bereitstellt. Gleichzeitig besteht der Anspruch, die dafür notwendigen optischen Systeme auf Chips zu integrieren, um Platz und Kosten zu sparen. Am Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik forschen wir daher an passiven und aktiven Strukturen auf der Basis von Silizium-Halbleitertechnologien. Silizium ist bei der in der Nachrichtentechnik üblichen Wellenlänge von 1550 nm für das Licht durchsichtig und eignet sich somit hervorragend als Basismaterial. Mein Forschungsgebiet beinhaltet hauptsächlich Modulatoren, mit denen die Daten per elektrischem Signal auf das Licht moduliert werden. Zudem beschäftige ich mich mit neuen Konzepten zur Faseranbindung auf die Chips.

  • Elektrooptische Modulatoren
  • Polymer-Modulatoren
  • Neue Konzepte zur Faseranbindung
  1. 2020

    1. C. Schweikert, N. Hoppe, R. Elster, W. Vogel, and M. Berroth, “Dual-Level Gratings for Efficient and Bandwidth-Enhanced Coupling to Silicon Photonics,” in ITG-Fachbericht, presented at the Workshop ITG-Fachgruppe KT 3.1, Karlsruhe, Germany, 2020.
    2. R. H. Klenk, C. Schweikert, N. Hoppe, L. Nagy, R. Elster, W. Vogel, and M. Berroth, “Integrated Dispersive Structures for Bandwidth-Enhancement of Silicon Grating Couplers,” Optical and Quantum Electronics, vol. 52, no. 2, pp. 1--13, 2020.
    3. C. Schweikert, N. Hoppe, R. Elster, T. Föhn, W. Vogel, and M. Berroth, “Design of a Broadband Integrated Notch Filter in Silicon Nitride,” in International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), Virtual Event (hosted by Politecnico di Torino, Italy), 2020, pp. 89--90.
  2. 2017

    1. M. Félix Rosa, L. Rathgeber, R. Elster, N. Hoppe, T. Föhn, M. Schmidt, W. Vogel, and M. Berroth, “Design of a carrier-depletion Mach-Zehnder modulator in 250 nm silicon-on-insulator technology,” Advances in Radio Science, vol. 15, pp. 269--281, 2017.
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