Höchstperformante Datenumsetzer für zukünftige 100 Gbit/s Kommunikationssysteme

Drahtlose Ultrahochgeschwindigkeitskommunikation für den mobilen Internetzugriff „Wireless 100 Gb/s and beyond“

Die Erhöhung der Datenraten in Kommunikationssystemen wurde in den letzten Jahren vorwiegend durch die Erhöhung der Symbolraten realisiert. Dies begünstigte die Entwicklung von schnellen Analog-zu-Digital-Umsetzern (ADU) wie keine andere Schaltungskomponente im Empfangspfad.

40 GS/s 4 bit Analog-Digital-Umsetzer

Am Institut für Elektrische und Optische Nachrichtentechnik (INT) entstand im Rahmen des DFG-Schwerpunktprogramms SPP1655: Drahtlose Ultrahochgeschwindigkeitskommunikation für den mobilen Internetzugriff „Wireless 100 Gb/s and beyond“im DFG-Teilprojekt „Entwicklung neuartiger System- und Komponenten-Architekturen für zukünftige innovative 100 Gbit/s Drahtloskommunikationssysteme“ (SPARS) ein 40 GS/s 4 bit ADU in 130 nm SiGe BiCMOS. Im Basisbandempfänger werden zwei dieser ADUs für die Digitalisierung der Empfangssignale verwendet. Nach aktuellem Stand (2017) ist der ADU der schnellste Einzelkern-ADU der Welt.

40 GS/s 4 bit Flash ADU aufgebaut auf RF Platine
40 GS/s 4 bit Flash ADU aufgebaut auf RF Platine

Publikationen

  1. 2020

    1. F. Buchali, X.-Q. Du, K. Schuh, S. T. Le, M. Grözing, und M. Berroth, „A SiGe HBT BiCMOS 1-to-4 ADC frontend enabling low bandwidth digitization of 100 GBaud PAM4 data“, Journal of Lightwave Technology, Bd. 38, Nr. 1, S. 150--158, 2020.
    2. C. Carlowitz, M. Vossiek, T. Girg, M. Dietz, A.-M. Schrotz, T. Maiwald, A. M. Hagelauer, R. Weigel, H. Ghaleb, C. Carta, F. Ellinger, X.-Q. Du, M. Grözing, und M. Berroth, „SPARS — Simultaneous Phase and Amplitude Regenerative Sampling“, in Wireless 100 Gbps And Beyond, R. Kraemer und S. Scholz, Hrsg. Frankfurt (Oder): IHP GmbH, 2020, S. 37--74.
  2. 2019

    1. X.-Q. Du, M. Grözing, A. Uhl, S. Park, F. Buchali, K. Schuh, S. T. Le, und M. Berroth, „A 112-GS/s 1-to-4 ADC front-end with more than 35-dBc SFDR and 28-dB SNDR up to 43-GHz in 130-nm SiGe BiCMOS“, in IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), Boston, MA, USA, 2019, S. 215--218.
  3. 2017

    1. X.-Q. Du, M. Grözing, M. Buck, und M. Berroth, „A 40 GS/s 4 bit SiGe BiCMOS Flash ADC“, in IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Miami, Florida, USA, 2017, S. 138--141.

Ansprechpartner

Dieses Bild zeigt Markus Grözing

Markus Grözing

Dr.-Ing.

Arbeitsgruppenleiter IC-Entwurf

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